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型号： MMBF170
描述： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
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品 牌： Fairchild (飞兆/仙童)
封 装： SOT-23-3
货 期：
包装方式： Tape & Reel (TR)
标准包装数： 1
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技术参数/额定电压(DC)：

60.0 V

 

技术参数/额定电流：

500 mA

 

技术参数/通道数：

1

 

技术参数/针脚数：

3

 

技术参数/漏源极电阻：

5 Ω

 

技术参数/极性：

N-Channel

 

技术参数/耗散功率：

300 mW

 

技术参数/阈值电压：

2.1 V

 

技术参数/输入电容：

40.0 pF

 

技术参数/漏源极电压(Vds)：

60 V

 

技术参数/漏源击穿电压：

60.0 V

 

技术参数/栅源击穿电压：

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids)：

500 mA

 

技术参数/输入电容(Ciss)：

40pF @10V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max)：

300 mW

 

技术参数/工作温度(Max)：

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min)：

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max)：

300mW (Ta)

 

封装参数/安装方式：

Surface Mount

 

封装参数/引脚数：

3

 

封装参数/封装：

SOT-23-3

 

外形尺寸/长度：

2.92 mm

 

外形尺寸/宽度：

1.3 mm

 

外形尺寸/高度：

0.93 mm

 

外形尺寸/封装：

SOT-23-3

 

物理参数/工作温度：

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期：

Active

 

其他/包装方式：

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准：

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准：

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准：

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本：

2015/06/15

 

海关信息/ECCN代码：

EAR99

 

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替代料

型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2N7002K 2N7002K NCE 类似代替
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K 2N7002K MSKSEMI/美森科 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
2N7002K 2N7002K Vishay Siliconix 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K 2N7002K GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL 类似代替 SOT-23-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
2N7002K 2N7002K NXP (恩智浦) 类似代替 TO-236
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K 2N7002K Kexin 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
2N7002K 2N7002K NCE Power (新洁能) 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K 2N7002K MDD (辰达半导体) 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
2N7002K 2N7002K ON Semiconductor (安森美) 类似代替 SOT-23-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K 2N7002K Panjit (强茂) 类似代替 SOT-23-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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BS170 BS170 GE (通用电气) 类似代替
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BS170 BS170 onsemi/安森美 类似代替 TO-92
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
BS170 BS170 ON Semiconductor (安森美) 类似代替 TO-226-3
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BS170 BS170 Major Brands 类似代替 TO-92
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BSS123 BSS123 Siemens Semiconductor (西门子) 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
PDF
BSS123 BSS123 Bourns J.W. Miller (伯恩斯) 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
BSS123 BSS123 Blue Rocket Electronics (蓝箭) 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
BSS123 BSS123 Philips (飞利浦) 类似代替
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123 BSS123 Zetex 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
BSS123 BSS123 KUU（永裕泰) 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
BSS123 BSS123 Infineon (英飞凌) 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
PDF
BSS123 BSS123 AnBon (台湾安邦) 类似代替 SOT-23
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
BSS123 BSS123 Freescale (飞思卡尔) 类似代替
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
PDF
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi/安森美 类似代替 SOT-23
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
BSS123LT1G BSS123LT1G onsemi 类似代替 SOT23
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor

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