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技术参数/漏源极电压(Vds)：
100 V
封装参数/封装：
SOT-23
外形尺寸/封装：
其他/商品目录：
MOS(场效应管)
其他/漏源电压（Vdss）：
100V
其他/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
200mA
其他/栅源极阈值电压：
3V @ 250uA
其他/漏源导通电阻：
1.06Ω @ 200mA,10V
其他/最大功率耗散（Ta=25°C）：
300mW
其他/类型：
N沟道
其他/商品编号：
C431506
其他/封装规格：
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