技术参数/针脚数： | 4 |
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技术参数/漏源极电阻： | 3.2 mΩ |
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技术参数/耗散功率： | 106 W |
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技术参数/阈值电压： | 3 V |
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技术参数/输入电容： | 2410 pF |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 40 V |
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技术参数/上升时间： | 19 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2410pF @20V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 12 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 106W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | SOT-669-4 |
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外形尺寸/长度： | 5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.1 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.1 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-669-4 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 电机驱动与控制, 工业, 消费电子产品, 电源管理, 通信与网络 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN4R0-40YS
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-669 |
NXP PSMN4R0-40YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 3.2 mohm, 10 V, 3 V
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