| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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2N7002K
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NCE | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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MSKSEMI/美森科 | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-236 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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Kexin | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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NCE Power (新洁能) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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MDD (辰达半导体) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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2N7002K
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Panjit (强茂) | 类似代替 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002K 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.5 V
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BS170
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GE (通用电气) | 类似代替 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BS170
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onsemi/安森美 | 类似代替 | TO-92 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BS170
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BS170
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Major Brands | 类似代替 | TO-92 |
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BSS123
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Siemens Semiconductor (西门子) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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Blue Rocket Electronics (蓝箭) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Philips (飞利浦) | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Zetex | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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KUU（永裕泰) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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AnBon (台湾安邦) | 类似代替 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS123 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 V
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BSS123LT1G
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onsemi/安森美 | 类似代替 | SOT-23 |
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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BSS123LT1G
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onsemi | 类似代替 | SOT23 |
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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