型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | NI-780S |
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 100W, Typ Gain in dB is 18.3 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | NI-780S |
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 107W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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