技术参数/额定电压(DC)： | 55.0 V |
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技术参数/额定电流： | 110 A |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 200 W |
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技术参数/产品系列： | IRF3205S |
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技术参数/输入电容： | 3.25 nF |
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技术参数/栅电荷： | 146 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 55.0 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 55.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 110 A |
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技术参数/上升时间： | 101 ns |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | D2PAK-263 |
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外形尺寸/封装： | D2PAK-263 |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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海关信息/香港进出口证： | NLR |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3205SPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRF3205SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
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IRF3205STRLPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRF3205STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
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IRF3205STRRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | D2PAK-3 |
场效应管(MOSFET) IRF3205STRRPBF D2PAK
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STB150NF55T4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V
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STB60NF06LT4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V
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