技术参数/额定电压(DC): 55.0 V
技术参数/额定电流: 110 A
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 200 W
技术参数/产品系列: IRF3205S
技术参数/阈值电压: 2V ~ 4V
技术参数/输入电容: 3.25 nF
技术参数/栅电荷: 146 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 55.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 110 A
技术参数/上升时间: 101 ns
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: D2PAK-3
外形尺寸/封装: D2PAK-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STB140NF75T4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAK
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STB150NF55T4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V
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