技术参数/额定电压(DC)： | 20.0 V |
|
技术参数/额定电流： | 8.70 A |
|
技术参数/漏源极电阻： | 22.0 mΩ (max) |
|
技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 2.5 W |
|
技术参数/产品系列： | IRF7401 |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
|
技术参数/漏源击穿电压： | 20.0V (min) |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 8.70 A |
|
技术参数/上升时间： | 72.0 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 1600pF @15V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 2.5 W |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 8 |
|
封装参数/封装： | SOIC-8 |
|
外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
|
符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
|
海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NDS8425
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
|
||
NDS8425
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC-8 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
|
||
SI4426DY-T1-E3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
SOIC-8 N-CH 20V 6.5A 25mΩ
|
||
SI4426DY-T1-E3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | SO-8 |
SOIC-8 N-CH 20V 6.5A 25mΩ
|
||
STS6NF20V
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
STMICROELECTRONICS STS6NF20V 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 20 V, 45 mohm, 2.7 V, 600 mV
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价