技术参数/额定电压(DC)： | 20.0 V |
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技术参数/额定电流： | 7.40 A |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.022 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 2.5 W |
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技术参数/阈值电压： | 890 mV |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 20.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±8.00 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 7.40 A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1098pF @15V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2.5W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 4.9 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.9 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.575 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7401TRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | SOIC-8 |
20V,8.7A,N沟道功率MOSFET
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NDS8425
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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