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型号: IRFY9130
描述: HEXFET® MOSFET technology is the key to International Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state resistance combined with high transconductance. HEXFET transistors also feature all of the well-established advantages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling and electrical parameter temperature stability. They are well-suited for applications such as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually any application where high reliability is required. The HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the need for additional isolating material between the device and the heatsink. This improves thermal efficiency and reduces drain capacitance.
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技术参数/输入电容(Ciss):

800pF @25V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

75000 mW

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-257

 

外形尺寸/封装:

TO-257

 

其他/产品生命周期:

Active

 

符合标准/RoHS标准:

Non-Compliant

 

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