技术参数/极性： | N-CH |
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技术参数/耗散功率： | 230W (Tc) |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 75 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 120A |
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技术参数/上升时间： | 64 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 4750pF @50V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 65 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 230W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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STP75NF75
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STP160N75F3
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP160N75F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V
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STP140NF75
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
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