技术参数/额定电压(DC)： | 100 V |
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技术参数/额定电流： | 75.0 A |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 3.8 W |
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技术参数/产品系列： | IRFS4710 |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 100 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 75.0 A |
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技术参数/上升时间： | 130 ns |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | D2PAK |
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外形尺寸/封装： | D2PAK |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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HUF75645S3ST
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75645S3ST 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mA
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HUF75645S3ST
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-263-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75645S3ST 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mA
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STB120NF10T4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V
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