技术参数/额定电压(DC)： | 100 V |
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技术参数/额定电流： | 120 A |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.0105 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 312 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/输入电容： | 5200 pF |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 100 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 110 A |
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技术参数/上升时间： | 90 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 5200pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 312 W |
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技术参数/下降时间： | 68 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 312000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.4 mm |
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外形尺寸/宽度： | 9.35 mm |
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外形尺寸/高度： | 4.6 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
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物理参数/重量： | 0.013607772 kg |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
HUF75645S3ST
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75645S3ST 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mA
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IRFS4610TRLPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
100V,73A,N沟道功率MOSFET
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