技术参数/频率: | 100 MHz |
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技术参数/额定电压(DC): | -45.0 V |
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技术参数/额定电流: | -800 mA |
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技术参数/针脚数: | 3 |
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技术参数/极性: | PNP |
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技术参数/耗散功率: | 225 mW |
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技术参数/增益频宽积: | 100 MHz |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极): | 45 V |
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技术参数/集电极最大允许电流: | 0.8A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE): | 120 @10mA, 1V |
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技术参数/额定功率(Max): | 225 mW |
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技术参数/直流电流增益(hFE): | 60 |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 300 mW |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | SOT-23-3 |
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外形尺寸/长度: | 3.04 mm |
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外形尺寸/宽度: | 2.64 mm |
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外形尺寸/高度: | 1.01 mm |
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外形尺寸/封装: | SOT-23-3 |
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物理参数/材质: | Silicon |
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物理参数/工作温度: | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用: | 工业, Power Management, Industrial, 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准: | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本: | 2015/12/17 |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BCW68G
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Central Semiconductor | 类似代替 |
ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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BCW68G
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Multicomp | 类似代替 | SOT-23 |
ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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||
BCW68G
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOT-23-3 |
ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
|
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BCW68G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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BCW68G
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | SOT-23 |
ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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BCW68GLT1
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Leshan Radio (乐山无线电) | 完全替代 | SOT-23 |
通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)
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BCW68GLT3G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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