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型号: BCW68GLT1G
描述: ON SEMICONDUCTOR BCW68GLT1G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -800 mA, 60 hFE
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封 装: SOT-23-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/频率:

100 MHz

 

技术参数/额定电压(DC):

-45.0 V

 

技术参数/额定电流:

-800 mA

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/极性:

PNP

 

技术参数/耗散功率:

225 mW

 

技术参数/增益频宽积:

100 MHz

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

45 V

 

技术参数/集电极最大允许电流:

0.8A

 

技术参数/最小电流放大倍数(hFE):

120 @10mA, 1V

 

技术参数/额定功率(Max):

225 mW

 

技术参数/直流电流增益(hFE):

60

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

300 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

SOT-23-3

 

外形尺寸/长度:

3.04 mm

 

外形尺寸/宽度:

2.64 mm

 

外形尺寸/高度:

1.01 mm

 

外形尺寸/封装:

SOT-23-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

工业, Power Management, Industrial, 电源管理

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
BCW68G BCW68G Central Semiconductor 类似代替
ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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BCW68G BCW68G Multicomp 类似代替 SOT-23
ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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BCW68G BCW68G ON Semiconductor (安森美) 类似代替 SOT-23-3
ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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BCW68G BCW68G Infineon (英飞凌) 类似代替 SOT-23
ON Semiconductor BCW68G , PNP 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:160, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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BCW68GLT1 BCW68GLT1 Leshan Radio (乐山无线电) 完全替代 SOT-23
通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)
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BCW68GLT3G BCW68GLT3G ON Semiconductor (安森美) 类似代替 SOT-23-3
NPN 晶体管,最大 1A,ON Semiconductor ### 标准 Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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