技术参数/额定功率: 0.35 W
技术参数/极性: PNP
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 45 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.8A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 160 @100mA, 1V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: SOT-23
外形尺寸/封装: SOT-23
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: End of Life
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BCW68F
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Diotec Semiconductor | 功能相似 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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BCW68F
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-23-3-3 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
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BCW68G
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Central Semiconductor | 功能相似 |
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCW68G
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Multicomp | 功能相似 | SOT-23 |
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCW68G
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCW68G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCW68G
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-23 |
PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCW68GLT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR BCW68GLT1G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -800 mA, 60 hFE
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Zetex | 功能相似 | SOT-23 |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCW68H/SOT23/TO-236A
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BCW68HTA
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Zetex | 功能相似 | SOT-23-3 |
BCW68H 系列 PNP 0.8 A 45 V 表面贴装 硅 中等功率 晶体管 - SOT-23
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