技术参数/频率： | 3000 MHz |
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技术参数/耗散功率： | 1 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 17 V |
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技术参数/增益： | 13.5 dB |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 40 @50mA, 5V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1 W |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1000 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-205 |
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外形尺寸/高度： | 6.6 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-205 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BFG35,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | TO-261-4 |
NXP BFG35,115 晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE
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BFQ19
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-89 |
NXP BFQ19 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 100 mA, 80 hFE
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