技术参数/额定电压(DC): | -100 V |
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技术参数/额定电流: | -2.00 A |
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技术参数/极性: | PNP, P-Channel |
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技术参数/耗散功率: | 80 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极): | 100 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE): | 1000 @5A, 4V |
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技术参数/额定功率(Max): | 80 W |
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技术参数/直流电流增益(hFE): | 1000 |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 80000 mW |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | TO-220-3 |
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外形尺寸/长度: | 10.67 mm |
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外形尺寸/宽度: | 4.83 mm |
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外形尺寸/高度: | 9.4 mm |
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外形尺寸/封装: | TO-220-3 |
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物理参数/工作温度: | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Bulk |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本: | 2015/06/15 |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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TI (德州仪器) | 类似代替 |
STMICROELECTRONICS TIP41C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 65 W, 6 A, 75 hFE
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Continental Device | 类似代替 | SFM |
STMICROELECTRONICS TIP41C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 65 W, 6 A, 75 hFE
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![]() |
Wings | 类似代替 |
STMICROELECTRONICS TIP41C 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 65 W, 6 A, 75 hFE
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![]() |
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-220-3 |
达林顿晶体管 PNP Transistor Darlington 100V/10a
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![]() |
UTC (友顺) | 功能相似 | TO-220 |
STMICROELECTRONICS TIP107 单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE
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Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 |
ON SEMICONDUCTOR TIP32CG 单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFE
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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Multicomp | 类似代替 | TO-220 |
STMICROELECTRONICS TIP32C 单晶体管 双极, PNP, -100 V, 40 W, -3 A, 50 hFE
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