技术参数/频率： | 3 MHz |
|
技术参数/额定电压(DC)： | 100 V |
|
技术参数/额定电流： | 6.00 A |
|
技术参数/针脚数： | 3 |
|
技术参数/极性： | NPN |
|
技术参数/耗散功率： | 65 W |
|
技术参数/增益频宽积： | 3 MHz |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 100 V |
|
技术参数/热阻： | 1.67℃/W (RθJC) |
|
技术参数/集电极最大允许电流： | 6A |
|
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 15 @3A, 4V |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 2 W |
|
技术参数/直流电流增益(hFE)： | 3 |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 2000 mW |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | TO-220-3 |
|
外形尺寸/长度： | 10.28 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 4.83 mm |
|
外形尺寸/高度： | 15.75 mm |
|
外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
|
物理参数/材质： | Silicon |
|
物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tube |
|
其他/制造应用： | 工业, Industrial, Industrial, Power Management, 电源管理, Power Management |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
|
符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
|
海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BD243CG
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
NPN 功率晶体管，ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
|
||
TIP112G
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
ON SEMICONDUCTOR TIP112G 达林顿双极晶体管
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价