9 月 6 日消息，半导体专家、三星电子和 SK 海力士前高管崔振石（66 岁）因涉嫌泄露三星电子关键半导体技术 20 纳米 DRAM 工艺技术数据而被捕。崔振石此前于去年 6 月曾被捕后被释放，当时罪名是窃取三星电子半导体工厂蓝图并建立 20 纳米 DRAM 半导体的 “三星电子克隆工厂”。
首尔中央地方法院负责逮捕令的金美京院长在 9 月 5 日对崔振石和三星电子前高级研究员吴某进行了逮捕前审讯（逮捕令实质审查），发现他们涉嫌违反《反不正当竞争法》和《商业秘密保护法》，随后表示：“他们被签发了逮捕令。”
据悉，他们被指控将生产 20 纳米半导体所需的 600 步工艺的关键信息（包括温度和压力）泄露给某国。首尔地方警察厅工业技术安全调查组正在对这些严重指控进行调查，因为这些行为完全超越了三星电子与 20 纳米 DRAM 半导体生产工艺相关的专有技术。
崔振石曾担任三星电子董事总经理、SK 海力士副总裁。去年 6 月因涉嫌窃取工厂蓝图及建立 “克隆工厂” 被捕后，他于去年 11 月获得保释。警方曾于 1 月 15 日向吴某申请逮捕令，但法院以 “需要保障辩护权” 为由驳回。随后，警方在进行补充调查后，于 2 日再次通过首尔中央地方检察厅信息技术犯罪搜查部申请对吴某的逮捕令，同时也申请了对崔振石的逮捕令。考虑到犯罪的严重性和损害的规模，检方亲自旁听了逮捕令审查，并解释了刑事指控。
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