台积电在 1.4nm 赛道率先提速。据消息人士透露，其 A14 节点已提前实现良率目标，相比即将量产的 2nm（N2）制程，性能实现跨越式提升。
官方信息显示，A14 工艺在相同功耗下速度可提升15%，保持速度不变时功耗能降低30%，芯片逻辑密度也提高 20%，可在同等尺寸下集成更多晶体管。关键突破源于第二代 GAAFET 纳米片晶体管的采用，搭配全新NanoFlex Pro 标准单元架构，既强化性能又提升设计灵活性。
不同于 A16 及部分 2nm 改进版依赖超级电源轨（SPR）与背面供电网络（BSPDN）解决功率问题，A14 采用无 BSPDN 架构，聚焦客户端设备、边缘计算等需性能与功耗平衡的场景，虽增加一定成本但适配性更优。该工艺预计 2028 年量产，苹果、AMD、英伟达被视为潜在核心客户。
竞争对手英特尔正全力追赶，计划追加采购两台 ASML 高 NA EUV 光刻机，每台成本达 3.7 亿美元，叠加 2024 年 5 月的订单，已锁定 ASML 今年全部高 NA EUV 产能。其 14A 工艺将采用第二代 PowerVia 背面供电与 RibbonFET 2 环绕栅极技术，目标 2027 年量产，寄望借此重获高端市场筹码。
值得注意的是，台积电 A14 暂用传统 EUV 技术以控成本，英特尔则押注高 NA EUV 抢占技术先机。台积电凭 A14 巩固领先，英特尔靠 14A 寻求突破，2027-2028 年将迎来高端工艺终极对决。
亿配芯城（ICgoodFind）总结：巨头技术竞速将加速先进制程落地，为 AI 与高端电子设备发展注入动力。
