性能飙升18%!联发科首发台积电2nm芯片

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9 月 16 日,半导体领域迎来重磅消息:联发科官方宣布,旗下首款基于台积电 2nm 制程工艺的旗舰 SoC 成功完成设计流片(Tape out),成为行业内首批采用该前沿技术的企业,预计 2026 年底正式量产上市 。

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虽然联发科在新闻稿中未明确产品具体型号,但结合产品规划,几乎可以确定,这款芯片就是下一代天玑 9 系旗舰 —— 天玑 9600

台积电的 2nm 制程堪称行业变革性技术,首次引入纳米片(Nanosheet)晶体管结构 ,在性能、功耗及良率等方面实现全面跃升。联发科透露,台积电强化版 2nm 制程相较于现有的 N3E 制程,逻辑密度暴增 1.2 倍 。在相同功耗下,芯片效能可大幅提升 18% ;相同速度下,功耗则能锐减约 36% ,这无疑将为终端产品带来更强劲性能与更持久续航 。

长期以来,联发科与台积电在高端移动平台、计算芯片、车载系统以及数据中心等关键领域深度合作,携手打造高性能、高能效芯片解决方案 。此次 2nm 芯片流片成功,更是标志着双方合作迈向全新高度,有望重塑行业格局 。

近年来,半导体行业围绕先进制程的竞争愈发白热化,2nm 制程不仅是手机处理器性能与能效提升的关键,更为端侧大模型、生成式 AI、高性能计算等前沿应用筑牢根基 。联发科天玑 9600 的抢先布局,有望助力其在市场竞争中占得先机 。

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亿配芯城(ICgoodFind)总结:联发科天玑 9600 若顺利量产,将为终端产品带来性能革新,推动行业发展,后续进展值得期待 。

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