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8 月 28 日消息，《日经亚洲》于 8 月 27 日发文，披露台积电 2nm 芯片技术外泄事件新进展。涉案 3 人已被检方起诉，面临 14 年、9 年和 7 年不同刑期，案件目前正在审理中。
主要涉案人陈姓男子，曾是台积电工程师，对公司严格的保密制度及供应商保密协议了如指掌。离职后，他入职日本半导体设备巨头 TEL 公司。在 TEL 期间，陈男凭借与旧同事的关系，多次索取 2 纳米蚀刻站机密文件与数据，并进行拍摄、复制，意图助力 TEL 改进设备性能。
检方透露，陈男联络的台积电员工包括吴某、戈某、廖某等人，这些人在工作中可接触到此类 “核心关键技术”。检方指控，涉案文件共 12 页，涉及集成电路制造的高度敏感工艺。
目前，检方要求判处主犯陈某 14 年徒刑，吴某 9 年，戈某 7 年，而廖某未被起诉。台积电在事件发生后，迅速将案件移送检方，并再次强调对泄密行为零容忍，必将依法追究到底。
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