7 月 23 日消息，台媒《工商时报》报道，JEDEC正紧锣密鼓推进DDR6 内存规范的筹备工作。目前，三星、SK 海力士、美光三大DRAM 内存原厂已完成DDR6 原型芯片设计。经 2026 年平台测试与验证后，新一代DDR6 内存有望在 2027 年大规模导入市场，引发行业变革。
据悉，DDR6 单通道位宽将大幅提升 50%，从DDR5的 64bit 跃升至 96bit ，与已公布的LPDDR6 规范类似。子通道划分也更精细，从DDR5的 2×32bit 变为 4×24bit。原生频率方面，DDR6起步为 8800MT/s，最高可达 17600MT/s，数据传输性能显著增强。
DDR6与LPDDR6位宽的同步变化，对采用双内存规范平台的笔记本电脑 SoC意义重大，可简化设计，降低研发成本与难度，助力笔记本电脑在轻薄化、高性能方向更进一步。
在模组外形规格上，DDR6对信号完整性、I/O 设计要求极高，传统DIMM难以满足。新兴的CAMM 系设计在电气性能、散热等方面优势明显，有望取代传统DIMM，成为DDR6 模组的主流解决方案 。
内存技术革新步伐加快，DDR6的到来将为数据中心、高性能计算等领域带来全新活力。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注其后续进展。
