三星电子2023年半导体业务亏损超100亿美元

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12月28日,在全球经济放缓和存储需求低迷的背景下,三星电子预计2023年半导体相关业务亏损将超过13万亿韩元(约合100亿美元),这是该公司首次连续四个季度出现亏损。

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尽管面临困境,但随着存储价格的反弹和客户库存的消耗,三星半导体业务的亏损在2023年第四季度开始趋于收敛。行业预计,三星2023年第四季度营收将同比下降1.1%,营业利润同比下降17.2%。
展望2024年,随着存储需求的预期增长,三星预计其半导体业务将得到改善。该公司目标不仅实现扭亏为盈,而且年营业利润将超过12万亿韩元。
然而,三星将2023年的业绩低迷归因于其设备解决方案(DS)部门严重亏损。该部门在前三季度的累计亏损额分别达到4.5万亿韩元、4.3万亿韩元和3.7万亿韩元。尽管如此,市场逐步改善、减产和库存耗尽推动存储价格反弹的趋势使得分析师预测DS部门第四季度亏损将减少至约9700亿韩元。
随着存储价格连续两年下跌,IT行业特别是智能手机、PC、服务器等市场复苏,流通库存接近正常水平,超出市场预期。存储需求得到改善,三星工厂生产线的开工率正在逐步提高。
KB金融集团报告称,三星西安NAND闪存工厂的开工率预计将从2023年第三季度的30%恢复到年底的40%-50%。该工厂可生产236层第8代3D NAND,预计将增强成本竞争力。
展望未来,虽然三星半导体业务在2023年面临挑战,但公司预计2024年营业利润将增长四倍以上,达到33万亿韩元,年收入有望接近302.7万亿韩元。同时,三星DS部门的营业利润预计将从2023年的亏损转为盈利12万亿韩元。
此外,高带宽内存(HBM)供应的扩张将提高三星DS部门的盈利能力。业内人士暗示,三星HBM产能或将翻倍,产量大幅增加,这将缓解HBM3供应短缺的担忧。

在技术方面,三星计划在2024上半年推出LPDDR5X增强版,并开始量产新一代低延迟带宽(LLW)DRAM。同时,三星的第二代3nm GAA工艺将在泰勒工厂规模化生产,该工厂目前正在建设中,预计将采用3nm和4nm工艺进行生产。

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