文章分类
最新文章
所有标签
1月29日，华为技术有限公司公布了一项新的专利申请，名为“半导体架构和制造半导体架构的方法”。该专利申请号为CN117461139A，提交日期为2021年6月。
据专利摘要所述，这种新型的半导体架构包括衬底、n型晶体管和p型晶体管。这些n型晶体管和p型晶体管均在衬底上形成。在半导体架构中，n型晶体管和p型晶体管中的每一个都包含多个指状子器件，每个指状子器件又由多个堆叠半导体组成。
更进一步的是，为n型晶体管和p型晶体管中的每一个设计的指状子器件中的一部分或全部被设计为叉形堆叠器件。这种叉形堆叠器件的特点在于，其包含的介电屏障仅沿着堆叠半导体的一个侧面向下延伸。
这项专利的主要优势在于其独特的半导体架构和多指架构设计。这种设计不仅有利于实现高电流器件，同时在功率性能方面也达到了出色的权衡。这一突破性的技术有望引领半导体行业的新一轮革新。
*部分图文来自网络，如侵权请联系本号删除*
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
