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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。319710+￥8.5920100+￥8.1624500+￥7.87601000+￥7.86172000+￥7.80445000+￥7.73287500+￥7.675510000+￥7.6469 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚592010+￥11.1480100+￥10.5906500+￥10.21901000+￥10.20042000+￥10.12615000+￥10.03327500+￥9.958910000+￥9.9217 -
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品类: IGBT晶体管描述: POWEREX PM75RL1A120 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 75A, 1.2kV, 595W, 1.2kV, Module22571+￥2309.538010+￥2288.542225+￥2278.044350+￥2267.5464100+￥2257.0485150+￥2246.5506250+￥2236.0527500+￥2225.5548 -
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品类: IGBT晶体管描述: POWEREX PM450CLA120 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 450A, 1.2kV, 2.5kW, 1.2kV, Module36031+￥10135.807010+￥10043.663325+￥9997.591550+￥9951.5196100+￥9905.4478150+￥9859.3759250+￥9813.3041500+￥9767.2322 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC14635+￥12.074450+￥11.5584200+￥11.2694500+￥11.19721000+￥11.12502500+￥11.04245000+￥10.99087500+￥10.9392 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 310000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube86765+￥17.912750+￥17.1472200+￥16.7185500+￥16.61141000+￥16.50422500+￥16.38175000+￥16.30527500+￥16.2286 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IGW30N60T 单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚73965+￥23.879750+￥22.8592200+￥22.2877500+￥22.14491000+￥22.00202500+￥21.83875000+￥21.73677500+￥21.6346 -
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品类: IGBT晶体管描述: SPM®（智能电源模块），SPM45、SPM45L 系列，Fairchild Semiconductor ### 电动机控制器和驱动器，Fairchild Semiconductor77271+￥60.225510+￥57.6070100+￥57.1357250+￥56.7691500+￥56.19301000+￥55.93122500+￥55.56465000+￥55.2504 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3Pin(3+Tab) TO-3P(N)IS87065+￥34.421450+￥32.9504200+￥32.1266500+￥31.92071000+￥31.71482500+￥31.47945000+￥31.33237500+￥31.1852 -
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 2MBI200U4H-120-50 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 200 A, 2.05 V, 1.04 kW, 1.2 kV, Module55471+￥1119.514010+￥1109.336625+￥1104.247950+￥1099.1592100+￥1094.0705150+￥1088.9818250+￥1083.8931500+￥1078.8044 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，2 个装，Fuji Electric V - 系列，第 6 代现场挡块 U/U4 系列，第 5 代现场挡块 S - 系列，第 4 代 NPT IGBT 分立件和模块，Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。13361+￥1632.158010+￥1617.320225+￥1609.901350+￥1602.4824100+￥1595.0635150+￥1587.6446250+￥1580.2257500+￥1572.8068 -
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品类: IGBT晶体管描述: SLLIMM™ 智能电源模块，STMicroelectronics 通过引入第二个 SLLIMM 智能电源模块系列，STMicroelectronics 扩展了 IGBT 智能电源模块的功能。 由于具有最佳传导和转换能量平衡，结合了出色的坚固性和 EMI 行为，它们可提高电动机驱动器应用的效率，使其工作高达 20 kHz。 它们提供完全模制或基于 DBC 的封装，具有较高的电极电流。 小型低损耗智能模制模块 (SLLIMM™) 可提高家用电器电动机驱动器的效率。 智能电源模块 (IPMS) 可在低电压微控制器和电源供电电动机之间提供直接连接。 三相 IGBT 反相器桥接，包括用于栅极驱动的控制 IC 和续流二极管 175°C 最大工作接点温度 600V，额定值从 8A 到 35A 直流（25°C 时） 低 VCE(sat) 具有市场上最低的 Rth 值，用于 DBC 封装型号 隔离额定值为 1500 Vrms/min 经优化的驱动器和硅，提供低 EMI 单独的开路发射器输出 3.3V、5V、15V CMOS/TTL 输入 欠压锁定 内部限幅二极管 联锁功能 智能关闭功能 比较器，用于防止过热和过电流故障 ### 电动机控制器和驱动器，STMicroelectronics70651+￥43.944410+￥41.4230100+￥39.5500250+￥39.2618500+￥38.97361000+￥38.64952500+￥38.36135000+￥38.1812 -
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品类: IGBT晶体管描述: 晶体管, IGBT, 模块, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S37901+￥1224.036010+￥1212.908425+￥1207.344650+￥1201.7808100+￥1196.2170150+￥1190.6532250+￥1185.0894500+￥1179.5256 -
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品类: IGBT晶体管描述: UPS / 太阳能 1200 V 100 A 法兰安装 超级 场截止 IGBT - TO-247-345155+￥33.064250+￥31.6512200+￥30.8599500+￥30.66211000+￥30.46432500+￥30.23825000+￥30.09697500+￥29.9556 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGP50B60PD1PBF 单晶体管, IGBT, 75 A, 2.35 V, 390 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚40031+￥256.438510+￥249.748850+￥244.6200100+￥242.8361200+￥241.4982500+￥239.71431000+￥238.59932000+￥237.4844 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 高达 20A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。18045+￥15.947150+￥15.2656200+￥14.8840500+￥14.78861000+￥14.69312500+￥14.58415000+￥14.51607500+￥14.4478 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKW40N65H5FKSA1 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 引脚63745+￥27.179150+￥26.0176200+￥25.3672500+￥25.20461000+￥25.04192500+￥24.85615000+￥24.74007500+￥24.6238 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装73115+￥18.322250+￥17.5392200+￥17.1007500+￥16.99111000+￥16.88152500+￥16.75625000+￥16.67797500+￥16.5996 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)39141+￥629.793010+￥607.695050+￥604.9328100+￥602.1705150+￥597.7509250+￥593.8838500+￥590.01661000+￥585.5970 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGWA40S120DF3 晶体管, IGBT, TO24738351+￥62.445010+￥59.7300100+￥59.2413250+￥58.8612500+￥58.26391000+￥57.99242500+￥57.61235000+￥57.2865 -
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品类: IGBT晶体管描述: SLLIMM™ 智能电源模块，STMicroelectronics 通过引入第二个 SLLIMM 智能电源模块系列，STMicroelectronics 扩展了 IGBT 智能电源模块的功能。 由于具有最佳传导和转换能量平衡，结合了出色的坚固性和 EMI 行为，它们可提高电动机驱动器应用的效率，使其工作高达 20 kHz。 它们提供完全模制或基于 DBC 的封装，具有较高的电极电流。 小型低损耗智能模制模块 (SLLIMM™) 可提高家用电器电动机驱动器的效率。 智能电源模块 (IPMS) 可在低电压微控制器和电源供电电动机之间提供直接连接。 三相 IGBT 反相器桥接，包括用于栅极驱动的控制 IC 和续流二极管 175°C 最大工作接点温度 600V，额定值从 8A 到 35A 直流（25°C 时） 低 VCE(sat) 具有市场上最低的 Rth 值，用于 DBC 封装型号 隔离额定值为 1500 Vrms/min 经优化的驱动器和硅，提供低 EMI 单独的开路发射器输出 3.3V、5V、15V CMOS/TTL 输入 欠压锁定 内部限幅二极管 联锁功能 智能关闭功能 比较器，用于防止过热和过电流故障 ### 电动机控制器和驱动器，STMicroelectronics93001+￥84.410010+￥80.7400100+￥80.0794250+￥79.5656500+￥78.75821000+￥78.39122500+￥77.87745000+￥77.4370 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK16925+￥15.561050+￥14.8960200+￥14.5236500+￥14.43051000+￥14.33742500+￥14.23105000+￥14.16457500+￥14.0980 -
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品类: IGBT晶体管描述:61451+￥53.192010+￥50.1400100+￥47.8728250+￥47.5240500+￥47.17521000+￥46.78282500+￥46.43405000+￥46.2160 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚60195+￥17.690450+￥16.9344200+￥16.5110500+￥16.40521000+￥16.29942500+￥16.17845000+￥16.10287500+￥16.0272 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGP4068D-EPBF 单晶体管, IGBT, 96 A, 1.65 V, 330 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚95555+￥30.408350+￥29.1088200+￥28.3811500+￥28.19921000+￥28.01722500+￥27.80935000+￥27.67947500+￥27.5494 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGP35B60PDPBF 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.15 V, 308 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚11851+￥191.291010+￥186.300850+￥182.4750100+￥181.1443200+￥180.1462500+￥178.81551000+￥177.98382000+￥177.1521 -
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品类: IGBT晶体管描述: TO-220AB 整包72125+￥13.396550+￥12.8240200+￥12.5034500+￥12.42331000+￥12.34312500+￥12.25155000+￥12.19437500+￥12.1370 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 11A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube863210+￥8.7480100+￥8.3106500+￥8.01901000+￥8.00442000+￥7.94615000+￥7.87327500+￥7.814910000+￥7.7857 -
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品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。51311+￥46.506410+￥43.8380100+￥41.8558250+￥41.5508500+￥41.24581000+￥40.90282500+￥40.59785000+￥40.4072 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。48651+￥46.860210+￥44.1715100+￥42.1742250+￥41.8669500+￥41.55961000+￥41.21392500+￥40.90675000+￥40.7146
