型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 55A 210000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube45135+￥19.269950+￥18.4464200+￥17.9852500+￥17.87001000+￥17.75472500+￥17.62295000+￥17.54067500+￥17.4582 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 650V 30A/50A 30Pin Case F279041+￥621.801610+￥599.984050+￥597.2568100+￥594.5296150+￥590.1661250+￥586.3480500+￥582.52991000+￥578.1664 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FPF1C2P5MF07AM 晶体管, IGBT/场效应管, MOSFET, IPM, 231W, 39A, 620V29691+￥503.159510+￥490.033650+￥479.9704100+￥476.4702200+￥473.8450500+￥470.34481000+￥468.15712000+￥465.9695 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 780000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24771501+￥777.035410+￥749.771050+￥746.3630100+￥742.9549150+￥737.5020250+￥732.7308500+￥727.95951000+￥722.5066 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 280A 780000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24775091+￥86.790510+￥83.0170100+￥82.3378250+￥81.8095500+￥80.97931000+￥80.60202500+￥80.07375000+￥79.6209 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 1200V 200A 830W Plus24771701+￥212.462510+￥206.920050+￥202.6708100+￥201.1928200+￥200.0843500+￥198.60631000+￥197.68252000+￥196.7588 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PC60UPBF 单晶体管, IGBT, 75 A, 600 V, 520 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚51315+￥4.023025+￥3.725050+￥3.5164100+￥3.4270500+￥3.36742500+￥3.29295000+￥3.263110000+￥3.2184 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。15515+￥32.350550+￥30.9680200+￥30.1938500+￥30.00031000+￥29.80672500+￥29.58555000+￥29.44737500+￥29.3090 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 1200V 60A 329W To24784715+￥27.097250+￥25.9392200+￥25.2907500+￥25.12861000+￥24.96652500+￥24.78125000+￥24.66547500+￥24.5496 -
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品类: IGBT晶体管描述: Co-Pack IGBT 超过 21A，Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。27635+￥30.969950+￥29.6464200+￥28.9052500+￥28.72001000+￥28.53472500+￥28.32295000+￥28.19067500+￥28.0582 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 330000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube14071+￥40.821210+￥38.4790100+￥36.7391250+￥36.4714500+￥36.20371000+￥35.90262500+￥35.63495000+￥35.4676 -
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品类: IGBT晶体管描述: Tube / 600V 96A To-247; Tube / 600V 96A To-24740105+￥26.980250+￥25.8272200+￥25.1815500+￥25.02011000+￥24.85872500+￥24.67425000+￥24.55897500+￥24.4436 -
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品类: IGBT晶体管描述: Co-Pack IGBT 超过 21A，Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。49381+￥69.632510+￥66.6050100+￥66.0601250+￥65.6362500+￥64.97021000+￥64.66742500+￥64.24365000+￥63.8803 -
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品类: IGBT晶体管描述: Co-Pack IGBT 超过 21A，Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。52865+￥21.726950+￥20.7984200+￥20.2784500+￥20.14851000+￥20.01852500+￥19.86995000+￥19.77717500+￥19.6842 -
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品类: IGBT晶体管描述: Co-Pack IGBT 超过 21A，Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。14921+￥37.771210+￥35.6040100+￥33.9941250+￥33.7464500+￥33.49871000+￥33.22012500+￥32.97245000+￥32.8176 -
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品类: IGBT晶体管描述: International Rectifier IRGP4063D1-EPBF, N沟道 IGBT 晶体管, 100 A, Vce=600 V, 30kHz, 3针 TO-247AD封装69045+￥27.682250+￥26.4992200+￥25.8367500+￥25.67111000+￥25.50552500+￥25.31625000+￥25.19797500+￥25.0796 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。10485+￥27.319550+￥26.1520200+￥25.4982500+￥25.33481000+￥25.17132500+￥24.98455000+￥24.86787500+￥24.7510 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKP20N60T 单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-220, 3 引脚357510+￥11.1480100+￥10.5906500+￥10.21901000+￥10.20042000+￥10.12615000+￥10.03327500+￥9.958910000+￥9.9217 -
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon F3L200R07PE4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 200 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装36651+￥1094.183410+￥1055.791050+￥1050.9920100+￥1046.1929150+￥1038.5144250+￥1031.7958500+￥1025.07711000+￥1017.3986 -
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon F475R12KS4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A, Vce=1200 V, 24引脚 ECONO2封装69871+￥907.383010+￥875.545050+￥871.5653100+￥867.5855150+￥861.2179250+￥855.6463500+￥850.07461000+￥843.7070 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60FWG 单晶体管, IGBT, 100 A, 1.45 V, 223 W, 600 V, TO-247, 3 引脚88275+￥5.764525+￥5.337550+￥5.0386100+￥4.9105500+￥4.82512500+￥4.71845000+￥4.675710000+￥4.6116 -
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品类: IGBT晶体管描述: NGTD21T65F2: IGBT 650V 45A FS2 裸片935310+￥7.0320100+￥6.6804500+￥6.44601000+￥6.43432000+￥6.38745000+￥6.32887500+￥6.281910000+￥6.2585 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTG30N60FWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 167 W, 600 V, TO-247, 3 引脚469310+￥6.9480100+￥6.6006500+￥6.36901000+￥6.35742000+￥6.31115000+￥6.25327500+￥6.206910000+￥6.1837 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGP15N41CLG 单晶体管, IGBT, 15 A, 440 V, 107 W, 440 V, TO-220, 3 引脚96311+￥79.200510+￥75.7570100+￥75.1372250+￥74.6551500+￥73.89751000+￥73.55322500+￥73.07115000+￥72.6579 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB20N120IHLWG 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.8 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚455510+￥9.7560100+￥9.2682500+￥8.94301000+￥8.92672000+￥8.86175000+￥8.78047500+￥8.715410000+￥8.6828 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 500V 18A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R214510+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。12925+￥33.508850+￥32.0768200+￥31.2749500+￥31.07441000+￥30.87392500+￥30.64485000+￥30.50167500+￥30.3584
