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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。3306 -
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品类: IGBT晶体管描述: 大功率开关使用绝缘型 HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE35321+￥526.964510+￥513.217650+￥502.6783100+￥499.0125200+￥496.2631500+￥492.59731000+￥490.30612000+￥488.0150 -
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品类: IGBT晶体管描述: 双升压斩波NPT IGBT功率模块 Dual Boost chopper NPT IGBT Power Module48471+￥291.755010+￥284.144050+￥278.3089100+￥276.2793200+￥274.7571500+￥272.72751000+￥271.45902000+￥270.1905 -
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品类: IGBT晶体管描述: 相脚NPT IGBT功率模块 Phase leg NPT IGBT Power Module72091+￥321.034010+￥312.659250+￥306.2385100+￥304.0052200+￥302.3303500+￥300.09701000+￥298.70122000+￥297.3054 -
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品类: IGBT晶体管描述: ISOTOP降压斩波沟道IGBT ISOTOP Buck chopper Trench IGBT80091+￥212.278510+￥206.740850+￥202.4952100+￥201.0185200+￥199.9110500+￥198.43431000+￥197.51132000+￥196.5884 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 64A 357000mW 3Pin(3+Tab) TO-26422041+￥81.857010+￥78.2980100+￥77.6574250+￥77.1591500+￥76.37611000+￥76.02022500+￥75.52205000+￥75.0949 -
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品类: IGBT晶体管描述: Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, TMAX-36739 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3Pin(3+Tab) TO-24713515+￥21.539750+￥20.6192200+￥20.1037500+￥19.97491000+￥19.84602500+￥19.69875000+￥19.60677500+￥19.5146 -
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SKM300GA12V 晶体管, IGBT模块, 443A, 1200V, SEMITRANS361831+￥870.082210+￥839.553050+￥835.7369100+￥831.9207150+￥825.8149250+￥820.4723500+￥815.12961000+￥809.0238 -
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品类: IGBT晶体管描述: ModSTACK 3including FF1200R17KE3_B2 IGBT Modules - A cost effective approach for Megawatt Control | Summary of Featu...9727
