型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IKD03N60RFATMA1 编带59385+￥3.712525+￥3.437550+￥3.2450100+￥3.1625500+￥3.10752500+￥3.03885000+￥3.011310000+￥2.9700 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Igbt Boost Chop 1200V 80A Sot22795871+￥284.912510+￥277.480050+￥271.7818100+￥269.7998200+￥268.3133500+￥266.33131000+￥265.09252000+￥263.8538 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Infineon FS100R17PE4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1700 V, 20引脚 ECONO4封装34601+￥1262.547010+￥1251.069325+￥1245.330550+￥1239.5916100+￥1233.8528150+￥1228.1139250+￥1222.3751500+￥1216.6362 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 5A 20Pin SPMFA-B Rail25725+￥19.761350+￥18.9168200+￥18.4439500+￥18.32571000+￥18.20742500+￥18.07235000+￥17.98797500+￥17.9034 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: 600V ，开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode62225+￥22.522550+￥21.5600200+￥21.0210500+￥20.88631000+￥20.75152500+￥20.59755000+￥20.50137500+￥20.4050 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2kA 4850000mW 10Pin Tray784710+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IGBT SIP模块（超快IGBT ） IGBT SIP Module (Ultrafast IGBT)77761+￥227.711510+￥221.771250+￥217.2170100+￥215.6329200+￥214.4448500+￥212.86081000+￥211.87072000+￥210.8807 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IGBT模块大功率开关使用 IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE45781+￥2196.931010+￥2176.958925+￥2166.972950+￥2156.9868100+￥2147.0008150+￥2137.0147250+￥2127.0287500+￥2117.0426 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: POWEREX CM300DY-34A IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 300A, 1.7kV, 2.9kW, 1.7kV, Module61621+￥2224.783010+￥2204.557725+￥2194.445150+￥2184.3324100+￥2174.2198150+￥2164.1071250+￥2153.9945500+￥2143.8818 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC 6MBP30RH-060-50 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 30 A, 2.7 V, 85 W, 600 V, Module84721+￥580.442410+￥560.076050+￥557.5302100+￥554.9844150+￥550.9111250+￥547.3470500+￥543.78291000+￥539.7096 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules91361+￥74.232510+￥71.0050100+￥70.4241250+￥69.9722500+￥69.26221000+￥68.93942500+￥68.48765000+￥68.1003 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 41A 3Pin(3+Tab) TO-22024851+￥50.215210+￥47.3340100+￥45.1937250+￥44.8644500+￥44.53511000+￥44.16472500+￥43.83545000+￥43.6296 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Igbt 650V 170A 750W To24770701+￥72.312010+￥69.1680100+￥68.6021250+￥68.1619500+￥67.47021000+￥67.15582500+￥66.71575000+￥66.3384 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: 650V 170A Through Hole IGBT GenX3TM w/ Sonic Diode - TO-24776861+￥98.969010+￥94.6660100+￥93.8915250+￥93.2890500+￥92.34241000+￥91.91212500+￥91.30975000+￥90.7933 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3 w/ Diode59125+￥29.612750+￥28.3472200+￥27.6385500+￥27.46141000+￥27.28422500+￥27.08175000+￥26.95527500+￥26.8286 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Igbt 650V 370A 1150W To26484081+￥135.803510+￥132.260850+￥129.5447100+￥128.6000200+￥127.8915500+￥126.94681000+￥126.35632000+￥125.7659 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。65311+￥271.089510+￥264.017650+￥258.5958100+￥256.7100200+￥255.2956500+￥253.40981000+￥252.23112000+￥251.0525 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IXYH80N90C3 900 Vce 80 A 34 ns t(on) GenX3 高速 IGBT - TO-247-320521+￥59.743410+￥56.3155100+￥53.7691250+￥53.3773500+￥52.98551000+￥52.54482500+￥52.15315000+￥51.9082 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 24740831+￥188.554010+￥183.635250+￥179.8641100+￥178.5524200+￥177.5687500+￥176.25701000+￥175.43722000+￥174.6174 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3Pin(3+Tab) TO-26475291+￥152.869510+￥148.881650+￥145.8242100+￥144.7608200+￥143.9632500+￥142.89981000+￥142.23512000+￥141.5705 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚37995+￥32.865350+￥31.4608200+￥30.6743500+￥30.47771000+￥30.28102500+￥30.05635000+￥29.91597500+￥29.7754 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARKTM 300mJ ， 360V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT67615+￥19.106150+￥18.2896200+￥17.8324500+￥17.71811000+￥17.60372500+￥17.47315000+￥17.39157500+￥17.3098 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARKTM 300mJ ， 400V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT6420 -
![]()
品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor ISL9V2540S3ST N沟道 IGBT, 15.5 A, Vce=450 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装485810+￥9.9240100+￥9.4278500+￥9.09701000+￥9.08052000+￥9.01435000+￥8.93167500+￥8.865410000+￥8.8324
