型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: IXEL 系列 4000 Vce 40 A 160 ns t(on) 高压 IGBT - ISOPLUS i5-Pak27611+￥236.244510+￥230.081650+￥225.3567100+￥223.7133200+￥222.4807500+￥220.83731000+￥219.81012000+￥218.7830 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT-3000V-40A-160W-通孔-ISOPLUS-i4-PAC™82951+￥298.563010+￥290.774450+￥284.8031100+￥282.7262200+￥281.1685500+￥279.09151000+￥277.79342000+￥276.4953 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube34115+￥11.711750+￥11.2112200+￥10.9309500+￥10.86091000+￥10.79082500+￥10.71075000+￥10.66077500+￥10.6106 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 1200A 4Pin IHMB130-296141+￥4755.300010+￥4712.070025+￥4690.455050+￥4668.8400100+￥4647.2250150+￥4625.6100250+￥4603.9950500+￥4582.3800 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKW50N65H5 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 引脚56775+￥11.828750+￥11.3232200+￥11.0401500+￥10.96941000+￥10.89862500+￥10.81775000+￥10.76727500+￥10.7166 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。943310+￥8.7480100+￥8.3106500+￥8.01901000+￥8.00442000+￥7.94615000+￥7.87327500+￥7.814910000+￥7.7857 -
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品类: IGBT晶体管描述: 在NPT技术的快速IGBT Fast IGBT in NPT-technology37785+￥27.916250+￥26.7232200+￥26.0551500+￥25.88811000+￥25.72112500+￥25.53025000+￥25.41097500+￥25.2916 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 150000mW 3Pin(2+Tab) TO-263AA85441+￥57.327810+￥54.0385100+￥51.5950250+￥51.2191500+￥50.84321000+￥50.42032500+￥50.04445000+￥49.8094 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD24621+￥71.449510+￥68.3430100+￥67.7838250+￥67.3489500+￥66.66551000+￥66.35482500+￥65.91995000+￥65.5472 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 300000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD91071+￥53.472610+￥50.4045100+￥48.1253250+￥47.7747500+￥47.42411000+￥47.02962500+￥46.67905000+￥46.4598 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 3000V 80A 400W To26816801+￥344.183510+￥335.204850+￥328.3211100+￥325.9268200+￥324.1311500+￥321.73681000+￥320.24032000+￥318.7439 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3Pin(2+Tab) D2PAK81421+￥67.608510+￥64.6690100+￥64.1399250+￥63.7284500+￥63.08171000+￥62.78772500+￥62.37625000+￥62.0235 -
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品类: IGBT晶体管描述: 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module19801+￥729.508810+￥703.912050+￥700.7124100+￥697.5128150+￥692.3934250+￥687.9140500+￥683.43461000+￥678.3152 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。507810+￥7.2840100+￥6.9198500+￥6.67701000+￥6.66492000+￥6.61635000+￥6.55567500+￥6.507010000+￥6.4828 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 IKW75N65EH5 TO-24753145+￥16.871450+￥16.1504200+￥15.7466500+￥15.64571000+￥15.54482500+￥15.42945000+￥15.35737500+￥15.2852 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 引脚61925+￥32.490950+￥31.1024200+￥30.3248500+￥30.13051000+￥29.93612500+￥29.71395000+￥29.57517500+￥29.4362 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKW30N60TFKSA1 单晶体管, IGBT, 通用, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚58115+￥25.272050+￥24.1920200+￥23.5872500+￥23.43601000+￥23.28482500+￥23.11205000+￥23.00407500+￥22.8960 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Infineon **Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。 ### IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。18291+￥47.140810+￥44.4360100+￥42.4267250+￥42.1176500+￥41.80851000+￥41.46072500+￥41.15165000+￥40.9584 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。1817 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 3000V 37A 300W Isoplusi472321+￥421.866010+￥410.860850+￥402.4235100+￥399.4888200+￥397.2877500+￥394.35301000+￥392.51882000+￥390.6846
