型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: EconoPACK B系列模块带有沟槽/场终止IGBT 4和优化EMCON二极管 EconoPACK B-series module with trench/fieldstop IGBT4 and optimized EmCon diode99081+¥2442.869010+¥2420.661125+¥2409.557250+¥2398.4532100+¥2387.3493150+¥2376.2453250+¥2365.1414500+¥2354.0374
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 600V 88A 338W EMIPAK214421+¥576.235810+¥556.017050+¥553.4897100+¥550.9623150+¥546.9185250+¥543.3803500+¥539.84201000+¥535.7982
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 280A 1147000mW 7Pin Double INT-A-PAK72381+¥1083.627010+¥1045.605050+¥1040.8523100+¥1036.0995150+¥1028.4951250+¥1021.8413500+¥1015.18741000+¥1007.5830
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC FGW30N60VD 单晶体管, IGBT, 55 A, 1.6 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 引脚83791+¥82.397510+¥78.8150100+¥78.1702250+¥77.6686500+¥76.88051000+¥76.52222500+¥76.02075000+¥75.5908
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。99811+¥1499.388010+¥1485.757225+¥1478.941850+¥1472.1264100+¥1465.3110150+¥1458.4956250+¥1451.6802500+¥1444.8648
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SKM400GM12T4 晶体管模块, IGBT, 800mV, 618A, SEMITRANS370811+¥3505.700010+¥3473.830025+¥3457.895050+¥3441.9600100+¥3426.0250150+¥3410.0900250+¥3394.1550500+¥3378.2200
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品类: IGBT晶体管描述: FUJI ELECTRIC FGW40N120VD 单晶体管, IGBT, 63 A, 1.85 V, 340 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚16071+¥85.905010+¥82.1700100+¥81.4977250+¥80.9748500+¥80.15311000+¥79.77962500+¥79.25675000+¥78.8085
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SEMIX101GD126HDS IGBT Array & Module Transistor, Six NPN, 129A, 1.7V, 1.2kV, Module27211+¥839.416210+¥809.963050+¥806.2814100+¥802.5997150+¥796.7091250+¥791.5548500+¥786.40041000+¥780.5098
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SK 45 GAL 063 IGBT Array & Module Transistor, NPN, 45A, 2.1V, 600V, Module75511+¥437.069010+¥425.667250+¥416.9258100+¥413.8853200+¥411.6050500+¥408.56451000+¥406.66422000+¥404.7639
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品类: IGBT晶体管描述: SEMIKRON SKIM606GD066HD IGBT Array & Module Transistor, Six NPN, 641A, 1.45V, 600V, Module96401+¥4263.842010+¥4225.079825+¥4205.698750+¥4186.3176100+¥4166.9365150+¥4147.5554250+¥4128.1743500+¥4108.7932
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IGB03N120H2 单晶体管, IGBT, 3 A, 2.8 V, 62.5 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚26235+¥26.570750+¥25.4352200+¥24.7993500+¥24.64041000+¥24.48142500+¥24.29975000+¥24.18627500+¥24.0726
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Dual 1200V 25A To-3p Lh - Gt25q301(q)796710+¥11.1600100+¥10.6020500+¥10.23001000+¥10.21142000+¥10.13705000+¥10.04407500+¥9.969610000+¥9.9324
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。20011+¥672.429010+¥648.835050+¥645.8858100+¥642.9365150+¥638.2177250+¥634.0888500+¥629.95981000+¥625.2410
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT模块 IGBT-modules21051+¥17848.424010+¥17686.165625+¥17605.036450+¥17523.9072100+¥17442.7780150+¥17361.6488250+¥17280.5196500+¥17199.3904
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品类: IGBT晶体管描述: N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)89141+¥957.474610+¥923.879050+¥919.6796100+¥915.4801150+¥908.7610250+¥902.8818500+¥897.00251000+¥890.2834
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品类: IGBT晶体管描述: Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch2105
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 900A 4Pin 62MM12371+¥1812.910010+¥1796.429025+¥1788.188550+¥1779.9480100+¥1771.7075150+¥1763.4670250+¥1755.2265500+¥1746.9860
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。40951+¥248.699010+¥242.211250+¥237.2372100+¥235.5071200+¥234.2096500+¥232.47951000+¥231.39822000+¥230.3169
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品类: IGBT晶体管描述: Höchstzulässige Werte /最大额定值 Höchstzulässige Werte / maximum rated values33711+¥352.900510+¥343.694450+¥336.6364100+¥334.1814200+¥332.3402500+¥329.88531000+¥328.35092000+¥326.8166
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。50781+¥492.234510+¥479.393650+¥469.5489100+¥466.1247200+¥463.5565500+¥460.13231000+¥457.99212000+¥455.8520
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 440A80011+¥2202.277010+¥2182.256325+¥2172.246050+¥2162.2356100+¥2152.2253150+¥2142.2149250+¥2132.2046500+¥2122.1942