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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 引脚87235+￥5.945425+￥5.505050+￥5.1967100+￥5.0646500+￥4.97652500+￥4.86645000+￥4.822410000+￥4.7563 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。27191+￥41.234810+￥38.8689100+￥37.1113250+￥36.8409500+￥36.57051000+￥36.26632500+￥35.99595000+￥35.8269 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 3Pin(3+Tab) TO-3PN39961+￥53.044410+￥50.0009100+￥47.7399250+￥47.3921500+￥47.04431000+￥46.65302500+￥46.30515000+￥46.0877 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Toshiba ### IGBT 分立件和模块，Toshiba 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。90901+￥37.627210+￥35.4683100+￥33.8645250+￥33.6178500+￥33.37101000+￥33.09352500+￥32.84675000+￥32.6925 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube70035+￥12.013650+￥11.5002200+￥11.2127500+￥11.14081000+￥11.06892500+￥10.98685000+￥10.93547500+￥10.8841 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Renesas Electronics ### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。25545+￥19.309750+￥18.4845200+￥18.0224500+￥17.90681000+￥17.79132500+￥17.65935000+￥17.57687500+￥17.4942 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。283710+￥11.8428100+￥11.2507500+￥10.85591000+￥10.83622000+￥10.75725000+￥10.65857500+￥10.579610000+￥10.5401 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 引脚97295+￥5.896825+￥5.460050+￥5.1542100+￥5.0232500+￥4.93582500+￥4.82665000+￥4.783010000+￥4.7174 -
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品类: IGBT晶体管描述: SLLIMM™ 智能电源模块，STMicroelectronics 通过引入第二个 SLLIMM 智能电源模块系列，STMicroelectronics 扩展了 IGBT 智能电源模块的功能。 由于具有最佳传导和转换能量平衡，结合了出色的坚固性和 EMI 行为，它们可提高电动机驱动器应用的效率，使其工作高达 20 kHz。 它们提供完全模制或基于 DBC 的封装，具有较高的电极电流。 小型低损耗智能模制模块 (SLLIMM™) 可提高家用电器电动机驱动器的效率。 智能电源模块 (IPMS) 可在低电压微控制器和电源供电电动机之间提供直接连接。 三相 IGBT 反相器桥接，包括用于栅极驱动的控制 IC 和续流二极管 175°C 最大工作接点温度 600V，额定值从 8A 到 35A 直流（25°C 时） 低 VCE(sat) 具有市场上最低的 Rth 值，用于 DBC 封装型号 隔离额定值为 1500 Vrms/min 经优化的驱动器和硅，提供低 EMI 单独的开路发射器输出 3.3V、5V、15V CMOS/TTL 输入 欠压锁定 内部限幅二极管 联锁功能 智能关闭功能 比较器，用于防止过热和过电流故障 ### 电动机控制器和驱动器，STMicroelectronics23081+￥127.697210+￥124.365950+￥121.8120100+￥120.9236200+￥120.2574500+￥119.36911000+￥118.81392000+￥118.2587 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube59555+￥32.462850+￥31.0755200+￥30.2986500+￥30.10441000+￥29.91022500+￥29.68825000+￥29.54957500+￥29.4108 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。94795+￥19.275850+￥18.4520200+￥17.9907500+￥17.87541000+￥17.76012500+￥17.62835000+￥17.54597500+￥17.4635 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGW20NC60V 系列 600 V 30 A 法兰安装 极快速 IGBT - TO-24786905+￥5.738925+￥5.313850+￥5.0162100+￥4.8887500+￥4.80362500+￥4.69745000+￥4.654810000+￥4.5911 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道12A - 600V TO- 220 PowerMESH⑩ IGBT N-CHANNEL 12A - 600V TO-220 PowerMESH⑩ IGBT1624 -
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品类: IGBT晶体管描述: 1200V,15A,H系列,高速沟槽型场截止IGBT70735+￥19.802350+￥18.9560200+￥18.4821500+￥18.36361000+￥18.24522500+￥18.10985000+￥18.02517500+￥17.9405 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 62500mW 3Pin(3+Tab) TO-3pF Tube87675+￥18.706050+￥17.9066200+￥17.4589500+￥17.34701000+￥17.23512500+￥17.10725000+￥17.02727500+￥16.9473 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3Pin DPAK ROHS465110+￥7.1940100+￥6.8343500+￥6.59451000+￥6.58252000+￥6.53465000+￥6.47467500+￥6.426610000+￥6.4027 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R44495+￥19.802350+￥18.9560200+￥18.4821500+￥18.36361000+￥18.24522500+￥18.10985000+￥18.02517500+￥17.9405 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 60000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R56241+￥67.727010+￥64.7823100+￥64.2523250+￥63.8400500+￥63.19221000+￥62.89772500+￥62.48555000+￥62.1321 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。85585+￥21.035450+￥20.1365200+￥19.6331500+￥19.50721000+￥19.38142500+￥19.23755000+￥19.14767500+￥19.0577 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGP30H65F 系列 650 V 30 A 沟槽栅场截止 IGBT - TO-220-353065+￥23.807250+￥22.7898200+￥22.2200500+￥22.07761000+￥21.93512500+￥21.77245000+￥21.67067500+￥21.5689 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。920010+￥8.2932100+￥7.8785500+￥7.60211000+￥7.58832000+￥7.53305000+￥7.46397500+￥7.408610000+￥7.3809 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道50A - 600V ISOTOP的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBT50821+￥134.634010+￥131.121850+￥128.4291100+￥127.4925200+￥126.7901500+￥125.85351000+￥125.26812000+￥124.6827 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO- 220短路额定IGBT的PowerMESH N-channel 600V - 8A - D2PAK / DPAK / TO-220 Short circuit rated PowerMESH IGBT148910+￥7.8576100+￥7.4647500+￥7.20281000+￥7.18972000+￥7.13735000+￥7.07187500+￥7.019510000+￥6.9933 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 105000mW 3Pin(3+Tab) IPAK Tube14921+￥49.782110+￥46.9258100+￥44.8039250+￥44.4775500+￥44.15101000+￥43.78382500+￥43.45735000+￥43.2533 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。398510+￥6.0084100+￥5.7080500+￥5.50771000+￥5.49772000+￥5.45765000+￥5.40767500+￥5.367510000+￥5.3475 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 140000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube84405+￥11.784250+￥11.2806200+￥10.9986500+￥10.92811000+￥10.85762500+￥10.77705000+￥10.72677500+￥10.6763 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道18A - 600V TO- 220 / D2PAK短路保护的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 18A - 600V TO-220/D2PAK SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT1367
