型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: 双极性晶体管描述: PNP - 预偏压 100mA 1.8A 50V 20V411820+￥0.270050+￥0.2500100+￥0.2400300+￥0.2320500+￥0.22601000+￥0.22205000+￥0.218010000+￥0.2140 -
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 (BISS) 晶体管负载开关，Nexperia ### 数字晶体管，Nexperia 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。272510+￥0.958550+￥0.9088100+￥0.8733300+￥0.8520500+￥0.83071000+￥0.80942500+￥0.77755000+￥0.7704 -
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品类: 双极性晶体管描述: DIODES INC. FMMT718 单晶体管 双极, PNP, 20 V, 180 MHz, 625 mW, -1.5 A, 475 hFE11085+￥2.079025+￥1.925050+￥1.8172100+￥1.7710500+￥1.74022500+￥1.70175000+￥1.686310000+￥1.6632 -
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品类: 双极性晶体管描述: 单晶体管 双极, NPN, PNP, -60 V, 150 MHz, 480 mW, -1.5 A, 285 hFE645420+￥0.499550+￥0.4625100+￥0.4440300+￥0.4292500+￥0.41811000+￥0.41075000+￥0.403310000+￥0.3959 -
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品类: 双极性晶体管描述: PNP - 预偏压 100mA 1.5A 50V 60V522320+￥0.270050+￥0.2500100+￥0.2400300+￥0.2320500+￥0.22601000+￥0.22205000+￥0.218010000+￥0.2140 -
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia21655+￥1.647025+￥1.525050+￥1.4396100+￥1.4030500+￥1.37862500+￥1.34815000+￥1.335910000+￥1.3176 -
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品类: 双极性晶体管描述: 三极管(BJT) DSS4140U-7 SOT-323604220+￥0.351050+￥0.3250100+￥0.3120300+￥0.3016500+￥0.29381000+￥0.28865000+￥0.283410000+￥0.2782 -
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia11365+￥4.738525+￥4.387550+￥4.1418100+￥4.0365500+￥3.96632500+￥3.87865000+￥3.843510000+￥3.7908 -
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品类: 双极性晶体管描述: 低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia94615+￥4.954525+￥4.587550+￥4.3306100+￥4.2205500+￥4.14712500+￥4.05545000+￥4.018710000+￥3.9636 -
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品类: 双极性晶体管描述: PNP - 预偏压 100mA 700mA 50V 40V436120+￥0.310550+￥0.2875100+￥0.2760300+￥0.2668500+￥0.25991000+￥0.25535000+￥0.250710000+￥0.2461
