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品类: 中高压MOS管描述: SupreMOS® MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。5179
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW56N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V 新6263
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPB60R099CPATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V1122
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor4990
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品类: 中高压MOS管描述: TO-220 N-CH 600V 6A66745+¥34.257650+¥32.7936200+¥31.9738500+¥31.76881000+¥31.56382500+¥31.32965000+¥31.18327500+¥31.0368
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。 ### 特点 低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg 低输入电容 (Ciss) 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 (Qg) 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor2736
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品类: 中高压MOS管描述: FUJI ELECTRIC FMV20N60S1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V2576
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 新2663
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。 高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics1596
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品类: 中高压MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。2829
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB070N65S3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 V 新5567
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V 新6187
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPP65R190C7FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V1176
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF400N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V9884