型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: Nch UMOSFET 8Pin SOP single 30V24605+￥1.471525+￥1.362550+￥1.2862100+￥1.2535500+￥1.23172500+￥1.20455000+￥1.193610000+￥1.1772 -
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品类: MOS管描述: TO-220FP N-CH 650V 6.6A629510+￥6.7800100+￥6.4410500+￥6.21501000+￥6.20372000+￥6.15855000+￥6.10207500+￥6.056810000+￥6.0342 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能63955+￥19.305050+￥18.4800200+￥18.0180500+￥17.90251000+￥17.78702500+￥17.65505000+￥17.57257500+￥17.4900 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA032N06N3GXKSA1, 84 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装65495+￥14.917550+￥14.2800200+￥13.9230500+￥13.83381000+￥13.74452500+￥13.64255000+￥13.57887500+￥13.5150 -
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品类: MOS管描述: INFINEON SPA04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V571110+￥6.6120100+￥6.2814500+￥6.06101000+￥6.05002000+￥6.00595000+￥5.95087500+￥5.906710000+￥5.8847 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能95795+￥3.132025+￥2.900050+￥2.7376100+￥2.6680500+￥2.62162500+￥2.56365000+￥2.540410000+￥2.5056 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPA086N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.7 V21805+￥1.809025+￥1.675050+￥1.5812100+￥1.5410500+￥1.51422500+￥1.48075000+￥1.467310000+￥1.4472 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPA032N06N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 V60605+￥13.419950+￥12.8464200+￥12.5252500+￥12.44501000+￥12.36472500+￥12.27295000+￥12.21567500+￥12.1582 -
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品类: MOS管描述: 酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor418510+￥9.5040100+￥9.0288500+￥8.71201000+￥8.69622000+￥8.63285000+￥8.55367500+￥8.490210000+￥8.4586 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能50015+￥5.953525+￥5.512550+￥5.2038100+￥5.0715500+￥4.98332500+￥4.87315000+￥4.829010000+￥4.7628 -
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品类: MOS管描述: TO-220FP N-CH 60V 69A77155+￥3.807025+￥3.525050+￥3.3276100+￥3.2430500+￥3.18662500+￥3.11615000+￥3.087910000+￥3.0456 -
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品类: MOS管描述: INFINEON SPA03N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 600 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V70405+￥2.038525+￥1.887550+￥1.7818100+￥1.7365500+￥1.70632500+￥1.66865000+￥1.653510000+￥1.6308 -
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品类: MOS管描述: Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能612210+￥10.6800100+￥10.1460500+￥9.79001000+￥9.77222000+￥9.70105000+￥9.61207500+￥9.540810000+￥9.5052 -
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品类: MOS管描述: 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFET345910+￥8.1840100+￥7.7748500+￥7.50201000+￥7.48842000+￥7.43385000+￥7.36567500+￥7.311010000+￥7.2838 -
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品类: MOS管描述: N沟道200 -V （D -S ） 175C MOSFET N-Channel 200-V (D-S) 175C MOSFET878910+￥6.2640100+￥5.9508500+￥5.74201000+￥5.73162000+￥5.68985000+￥5.63767500+￥5.595810000+￥5.5750 -
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品类: MOS管描述: N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET52521+￥48.946410+￥46.1380100+￥44.0518250+￥43.7308500+￥43.40981000+￥43.04882500+￥42.72785000+￥42.5272 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。955110+￥11.5680100+￥10.9896500+￥10.60401000+￥10.58472000+￥10.50765000+￥10.41127500+￥10.334110000+￥10.2955 -
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品类: MOS管描述: DPAK N-CH 55V 55A669610+￥9.2520100+￥8.7894500+￥8.48101000+￥8.46562000+￥8.40395000+￥8.32687500+￥8.265110000+￥8.2343 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP120P04P4L03AKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装624310+￥7.5360100+￥7.1592500+￥6.90801000+￥6.89542000+￥6.84525000+￥6.78247500+￥6.732210000+￥6.7070 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P03P4L04ATMA1, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装890410+￥9.8640100+￥9.3708500+￥9.04201000+￥9.02562000+￥8.95985000+￥8.87767500+￥8.811810000+￥8.7790 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能651210+￥9.2880100+￥8.8236500+￥8.51401000+￥8.49852000+￥8.43665000+￥8.35927500+￥8.297310000+￥8.2663 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET473710+￥7.8960100+￥7.5012500+￥7.23801000+￥7.22482000+￥7.17225000+￥7.10647500+￥7.053810000+￥7.0274 -
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品类: MOS管描述: VISHAY IRFP360LCPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 400 V, 200 mohm, 10 V, 4 V69395+￥14.402750+￥13.7872200+￥13.4425500+￥13.35641000+￥13.27022500+￥13.17175000+￥13.11027500+￥13.0486 -
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP3415PBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 150V, 43A, TO-247AC 新62555+￥23.727650+￥22.7136200+￥22.1458500+￥22.00381000+￥21.86182500+￥21.69965000+￥21.59827500+￥21.4968 -
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品类: MOS管描述: -30V,-17A,P沟道增强型MOSFET38835+￥2.025025+￥1.875050+￥1.7700100+￥1.7250500+￥1.69502500+￥1.65755000+￥1.642510000+￥1.6200 -
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品类: MOS管描述: TO-220 N-CH 40V 300A49585+￥29.331950+￥28.0784200+￥27.3764500+￥27.20101000+￥27.02552500+￥26.82495000+￥26.69967500+￥26.5742
