温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
收藏
描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
商品二维码
封 装: TO-263-3
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
7.74  元 7.74元
10+:
¥ 9.2880
100+:
¥ 8.8236
500+:
¥ 8.5140
1000+:
¥ 8.4985
2000+:
¥ 8.4366
5000+:
¥ 8.3592
7500+:
¥ 8.2973
10000+:
¥ 8.2663
数量
10+
100+
500+
1000+
2000+
价格
9.2880
8.8236
8.5140
8.4985
8.4366
价格 9.2880 8.8236 8.5140 8.4985 8.4366
起批量 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+
  • 运费   有货 运费价格:¥13.00
  • 数量
    库存(6512) 起订量(10)
加入购物车 立即购买
欢迎使用亿配芯城AI助手
芯片AI助手  芯片AI顾问
相关文件下载:
PDF
  • 失望
  • 一般
  • 满意
  • 喜欢
  • 超爱

技术参数/极性:

P-CH

 

技术参数/耗散功率:

88 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

40 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

80A

 

技术参数/上升时间:

15 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

6085pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

41 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

88 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/长度:

10 mm

 

外形尺寸/宽度:

9.25 mm

 

外形尺寸/高度:

4.4 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

最有帮助的评价

  只显示带图评价

最新评价

加载更多

暂时还没有评价

期待你分享科技带来的乐趣

提问
抱歉,没有找到答案,您可以点击“提问”提交此条提问给已经购买者、Suteshop商城官方客服和产品经理,我们会及时回复。

暂时还没有提问

对商品还不太了解,问问看吧

加载更多
    暂无数据

替代料

型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll

对比栏

展开

对比

清空