型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 325A 1400000mW 11Pin Bulk88581+¥1496.517010+¥1482.912325+¥1476.110050+¥1469.3076100+¥1462.5053150+¥1455.7029250+¥1448.9006500+¥1442.0982
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3Pin(3+Tab) TO-3P79465+¥27.144050+¥25.9840200+¥25.3344500+¥25.17201000+¥25.00962500+¥24.82405000+¥24.70807500+¥24.5920
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 620000mW Medical 7Pin Bulk65291+¥943.897210+¥910.778050+¥906.6381100+¥902.4982150+¥895.8744250+¥890.0785500+¥884.28261000+¥877.6588
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品类: IGBT晶体管描述: Module Igbt Cbi47661+¥272.504010+¥265.395250+¥259.9451100+¥258.0494200+¥256.6277500+¥254.73201000+¥253.54722000+¥252.3624
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。26281+¥678.072010+¥654.280050+¥651.3060100+¥648.3320150+¥643.5736250+¥639.4100500+¥635.24641000+¥630.4880
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 183A Hex52191+¥1401.884010+¥1389.139625+¥1382.767450+¥1376.3952100+¥1370.0230150+¥1363.6508250+¥1357.2786500+¥1350.9064
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT MODULE SGL 1500A E1090001+¥19471.320010+¥19294.308025+¥19205.802050+¥19117.2960100+¥19028.7900150+¥18940.2840250+¥18851.7780500+¥18763.2720
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module Cbi Minipack271071+¥312.029510+¥303.889650+¥297.6490100+¥295.4784200+¥293.8504500+¥291.67981000+¥290.32312000+¥288.9665
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 84A62191+¥876.375010+¥845.625050+¥841.7813100+¥837.9375150+¥831.7875250+¥826.4063500+¥821.02501000+¥814.8750
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 150A Hex69581+¥1171.104010+¥1160.457625+¥1155.134450+¥1149.8112100+¥1144.4880150+¥1139.1648250+¥1133.8416500+¥1128.5184
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,IXYS ### IGBT 分立元件和模块,IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。21041+¥1394.910010+¥1382.229025+¥1375.888550+¥1369.5480100+¥1363.2075150+¥1356.8670250+¥1350.5265500+¥1344.1860
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Module 1200V 40A48151+¥387.734010+¥377.619250+¥369.8645100+¥367.1672200+¥365.1443500+¥362.44701000+¥360.76122000+¥359.0754
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 21Pin SMD79401+¥218.327510+¥212.632050+¥208.2655100+¥206.7467200+¥205.6076500+¥204.08881000+¥203.13952000+¥202.1903
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube26875+¥5.805025+¥5.375050+¥5.0740100+¥4.9450500+¥4.85902500+¥4.75155000+¥4.708510000+¥4.6440
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品类: IGBT晶体管描述: 高速2 -技术 HighSpeed 2-Technology54985+¥14.660150+¥14.0336200+¥13.6828500+¥13.59511000+¥13.50732500+¥13.40715000+¥13.34457500+¥13.2818
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGW30H65FB TO-247578210+¥11.9640100+¥11.3658500+¥10.96701000+¥10.94712000+¥10.86735000+¥10.76767500+¥10.687810000+¥10.6480
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3Pin(3+Tab) TO-247AC15015+¥29.062850+¥27.8208200+¥27.1253500+¥26.95141000+¥26.77752500+¥26.57885000+¥26.45467500+¥26.3304
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24741771+¥111.354510+¥106.5130100+¥105.6415250+¥104.9637500+¥103.89861000+¥103.41442500+¥102.73665000+¥102.1557
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。796910+¥9.3480100+¥8.8806500+¥8.56901000+¥8.55342000+¥8.49115000+¥8.41327500+¥8.350910000+¥8.3197
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品类: IGBT晶体管描述: STGW60H65DF 系列 650 V 120 A 场截止 沟道栅 IGBT - TO-247-364301+¥54.448610+¥51.3245100+¥49.0037250+¥48.6467500+¥48.28971000+¥47.88802500+¥47.53105000+¥47.3078
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。45365+¥27.951350+¥26.7568200+¥26.0879500+¥25.92071000+¥25.75342500+¥25.56235000+¥25.44297500+¥25.3234
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 4000V 30A 160000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC23401+¥400.579510+¥390.129650+¥382.1180100+¥379.3314200+¥377.2414500+¥374.45481000+¥372.71312000+¥370.9715
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道6A - 600V DPAK非常快的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 6A - 600V DPAK Very Fast PowerMESH IGBT7786
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 24739045+¥18.544550+¥17.7520200+¥17.3082500+¥17.19731000+¥17.08632500+¥16.95955000+¥16.88037500+¥16.8010