型号/品牌/封装
品类/描述
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价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6673BZ 晶体管, MOSFET, P沟道, -14.5 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -1.9 V51765-24￥4.333525-49￥4.012550-99￥3.7878100-499￥3.6915500-2499￥3.62732500-4999￥3.54715000-9999￥3.5150≥10000￥3.4668 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。33415-24￥5.022025-49￥4.650050-99￥4.3896100-499￥4.2780500-2499￥4.20362500-4999￥4.11065000-9999￥4.0734≥10000￥4.0176 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 30V 31A 8Pin Power 56 T/R169610-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP22N60N. 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V 22A TO-22051625-49￥26.336750-199￥25.2112200-499￥24.5809500-999￥24.42341000-2499￥24.26582500-4999￥24.08575000-7499￥23.9732≥7500￥23.8606 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 150 V, 0.148 ohm, 10 V, 2.8 V64615-24￥3.861025-49￥3.575050-99￥3.3748100-499￥3.2890500-2499￥3.23182500-4999￥3.16035000-9999￥3.1317≥10000￥3.0888 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF15N65 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.36 ohm, 10 V, 5 V755510-99￥8.7360100-499￥8.2992500-999￥8.00801000-1999￥7.99342000-4999￥7.93525000-7499￥7.86247500-9999￥7.8042≥10000￥7.7750 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86201 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 120 V, 0.0096 ohm, 10 V, 2.6 V27705-24￥1.660525-49￥1.537550-99￥1.4514100-499￥1.4145500-2499￥1.38992500-4999￥1.35925000-9999￥1.3469≥10000￥1.3284 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC8032L, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装683710-99￥7.4160100-499￥7.0452500-999￥6.79801000-1999￥6.78562000-4999￥6.73625000-7499￥6.67447500-9999￥6.6250≥10000￥6.6002 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。74625-49￥12.402050-199￥11.8720200-499￥11.5752500-999￥11.50101000-2499￥11.42682500-4999￥11.34205000-7499￥11.2890≥7500￥11.2360 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。71215-49￥27.810950-199￥26.6224200-499￥25.9568500-999￥25.79051000-2499￥25.62412500-4999￥25.43395000-7499￥25.3151≥7500￥25.1962 -
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品类: MOS管描述: FDMS7620S 系列 30 V 20 mOhm 双 N沟道 表面贴装 PowerTrench Mosfet - 功率56666310-99￥8.7480100-499￥8.3106500-999￥8.01901000-1999￥8.00442000-4999￥7.94615000-7499￥7.87327500-9999￥7.8149≥10000￥7.7857 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。18265-24￥4.293025-49￥3.975050-99￥3.7524100-499￥3.6570500-2499￥3.59342500-4999￥3.51395000-9999￥3.4821≥10000￥3.4344 -
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品类: MOS管描述: 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 5A, MicroFET, 整卷36715-24￥3.294025-49￥3.050050-99￥2.8792100-499￥2.8060500-2499￥2.75722500-4999￥2.69625000-9999￥2.6718≥10000￥2.6352 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC637BNZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 0.021 ohm, 4.5 V, 800 mV441010-49￥1.161050-99￥1.1008100-299￥1.0578300-499￥1.0320500-999￥1.00621000-2499￥0.98042500-4999￥0.9417≥5000￥0.9331 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6317NZ 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.3 ohm, 4.5 V, 1.2 V77711-9￥49.763810-99￥46.9085100-249￥44.7874250-499￥44.4611500-999￥44.13481000-2499￥43.76772500-4999￥43.4414≥5000￥43.2374 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG8842CZ 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 750 mA, 30 V, 0.25 ohm, 4.5 V, 1 V23425-24￥2.025025-49￥1.875050-99￥1.7700100-499￥1.7250500-2499￥1.69502500-4999￥1.65755000-9999￥1.6425≥10000￥1.6200 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC638APZ, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装5535 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD7N20TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.58 ohm, 10 V, 5 V68155-24￥2.875525-49￥2.662550-99￥2.5134100-499￥2.4495500-2499￥2.40692500-4999￥2.35375000-9999￥2.3324≥10000￥2.3004 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。99435-49￥15.385550-199￥14.7280200-499￥14.3598500-999￥14.26781000-2499￥14.17572500-4999￥14.07055000-7499￥14.0048≥7500￥13.9390 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V86805-49￥13.876250-199￥13.2832200-499￥12.9511500-999￥12.86811000-2499￥12.78512500-4999￥12.69025000-7499￥12.6309≥7500￥12.5716 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。63565-49￥26.629250-199￥25.4912200-499￥24.8539500-999￥24.69461000-2499￥24.53532500-4999￥24.35325000-7499￥24.2394≥7500￥24.1256 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® SyncFET™ 双 MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。842710-99￥10.1640100-499￥9.6558500-999￥9.31701000-1999￥9.30012000-4999￥9.23235000-7499￥9.14767500-9999￥9.0798≥10000￥9.0460 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDY1002PZ, 830 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-523 (SC-89)封装17645-24￥1.741525-49￥1.612550-99￥1.5222100-499￥1.4835500-2499￥1.45772500-4999￥1.42555000-9999￥1.4126≥10000￥1.3932 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。29355-24￥3.699025-49￥3.425050-99￥3.2332100-499￥3.1510500-2499￥3.09622500-4999￥3.02775000-9999￥3.0003≥10000￥2.9592 -
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品类: MOS管描述: 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET300110-99￥8.6520100-499￥8.2194500-999￥7.93101000-1999￥7.91662000-4999￥7.85895000-7499￥7.78687500-9999￥7.7291≥10000￥7.7003 -
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品类: MOS管描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。90645-49￥14.355950-199￥13.7424200-499￥13.3988500-999￥13.31301000-2499￥13.22712500-4999￥13.12895000-7499￥13.0676≥7500￥13.0062 -
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品类: MOS管描述: 集成的N沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode54365-24￥3.523525-49￥3.262550-99￥3.0798100-499￥3.0015500-2499￥2.94932500-4999￥2.88415000-9999￥2.8580≥10000￥2.8188 -
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品类: MOS管描述: FDMC2523P 系列 150 V 1.5 Ohm 表面贴装 P 沟道 QFET - Power33285610-99￥6.7440100-499￥6.4068500-999￥6.18201000-1999￥6.17082000-4999￥6.12585000-7499￥6.06967500-9999￥6.0246≥10000￥6.0022 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMA530PZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 6.8A, MICROFET 2X2969110-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC0911ND 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 1.6 V67675-24￥6.480025-49￥6.000050-99￥5.6640100-499￥5.5200500-2499￥5.42402500-4999￥5.30405000-9999￥5.2560≥10000￥5.1840
