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型号: FDP20N50F
描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
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封 装: TO-220-3
货 期:
包装方式: Rail, Tube
标准包装数: 1
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.22 Ω

 

技术参数/耗散功率:

250 W

 

技术参数/阈值电压:

3 V

 

技术参数/输入电容:

2550 pF

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

500 V

 

技术参数/上升时间:

120 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

3390pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

250 W

 

技术参数/下降时间:

60 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

250000 mW

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.67 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Rail, Tube

 

其他/制造应用:

电源管理, 照明, 消费电子产品

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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