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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。51221+￥1016.845810+￥981.167050+￥976.7072100+￥972.2473150+￥965.1115250+￥958.8678500+￥952.62401000+￥945.4882 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PC40WPBF 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.5 V, 160 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚87435+￥28.758650+￥27.5296200+￥26.8414500+￥26.66931000+￥26.49722500+￥26.30065000+￥26.17777500+￥26.0548 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4PF50WPBF 单晶体管, IGBT, 51 A, 2.7 V, 200 W, 900 V, TO-247AC, 3 引脚58361+￥384.008010+￥373.990450+￥366.3102100+￥363.6389200+￥361.6354500+￥358.96401000+￥357.29442000+￥355.6248 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube330210+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4BC30WPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚70195+￥12.460550+￥11.9280200+￥11.6298500+￥11.55531000+￥11.48072500+￥11.39555000+￥11.34237500+￥11.2890 -
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品类: MOS管描述: P 通道功率 MOSFET 超过 8A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。85035+￥4.549525+￥4.212550+￥3.9766100+￥3.8755500+￥3.80812500+￥3.72395000+￥3.690210000+￥3.6396 -
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品类: MOS管描述: 100V,97A,N沟道功率MOSFET244610+￥8.7480100+￥8.3106500+￥8.01901000+￥8.00442000+￥7.94615000+￥7.87327500+￥7.814910000+￥7.7857 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube503310+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。71461+￥55.107410+￥51.9455100+￥49.5967250+￥49.2353500+￥48.87391000+￥48.46742500+￥48.10615000+￥47.8802 -
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品类: MOS管描述: 100V,42A,N沟道MOSFET71875+￥13.794350+￥13.2048200+￥12.8747500+￥12.79221000+￥12.70962500+￥12.61535000+￥12.55647500+￥12.4974 -
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET96865+￥3.132025+￥2.900050+￥2.7376100+￥2.6680500+￥2.62162500+￥2.56365000+￥2.540410000+￥2.5056 -
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品类: MOS管描述: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT22393845+￥3.537025+￥3.275050+￥3.0916100+￥3.0130500+￥2.96062500+￥2.89515000+￥2.868910000+￥2.8296 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube51835+￥23.400050+￥22.4000200+￥21.8400500+￥21.70001000+￥21.56002500+￥21.40005000+￥21.30007500+￥21.2000 -
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品类: MOS管描述: N沟道,100V,97A,9mΩ@10V843610+￥11.4600100+￥10.8870500+￥10.50501000+￥10.48592000+￥10.40955000+￥10.31407500+￥10.237610000+￥10.1994 -
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品类: MOS管描述: MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 4.5Milliohms; ID 170A; TO-247AC; PD 310W; -55de397810+￥8.2440100+￥7.8318500+￥7.55701000+￥7.54332000+￥7.48835000+￥7.41967500+￥7.364610000+￥7.3372 -
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品类: MOS管描述: N沟道,75V,170A,4.1mΩ@10V575010+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。40275+￥5.805025+￥5.375050+￥5.0740100+￥4.9450500+￥4.85902500+￥4.75155000+￥4.708510000+￥4.6440 -
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品类: MOS管描述: 75V,5.8mΩ,120A,N沟道功率MOSFET958710+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。87985+￥19.773050+￥18.9280200+￥18.4548500+￥18.33651000+￥18.21822500+￥18.08305000+￥17.99857500+￥17.9140 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8Pin SOIC T/R92245+￥3.267025+￥3.025050+￥2.8556100+￥2.7830500+￥2.73462500+￥2.67415000+￥2.649910000+￥2.6136 -
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品类: MOS管描述: IRF9956TRPBF 编带68715+￥2.484025+￥2.300050+￥2.1712100+￥2.1160500+￥2.07922500+￥2.03325000+￥2.014810000+￥1.9872 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFB4310ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 V84265+￥6.453025+￥5.975050+￥5.6404100+￥5.4970500+￥5.40142500+￥5.28195000+￥5.234110000+￥5.1624 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8Pin SOIC N T/R86455+￥4.009525+￥3.712550+￥3.5046100+￥3.4155500+￥3.35612500+￥3.28195000+￥3.252210000+￥3.2076 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET P-CH 30V 15A 8Pin SOIC N T/R87385+￥3.766525+￥3.487550+￥3.2922100+￥3.2085500+￥3.15272500+￥3.08305000+￥3.055110000+￥3.0132 -
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品类: MOS管描述: -30V,-20A,4.6mΩ,单P沟道功率MOSFET37275+￥6.115525+￥5.662550+￥5.3454100+￥5.2095500+￥5.11892500+￥5.00575000+￥4.960410000+￥4.8924 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8Pin SOIC T/R887310+￥7.7880100+￥7.3986500+￥7.13901000+￥7.12602000+￥7.07415000+￥7.00927500+￥6.957310000+￥6.9313 -
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品类: MOS管描述: N沟道 30 V 16.4 mOhm 6.7 nC HEXFET 功率 Mosfet 表面贴装 - SOIC-871585+￥5.143525+￥4.762550+￥4.4958100+￥4.3815500+￥4.30532500+￥4.21015000+￥4.172010000+￥4.1148 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRF9358TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -9.2 A, -30 V, 0.013 ohm, -10 V, -1.8 V 新15645+￥5.292025+￥4.900050+￥4.6256100+￥4.5080500+￥4.42962500+￥4.33165000+￥4.292410000+￥4.2336
