技术参数/漏源极电阻： | 4.5 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 370 W |
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技术参数/产品系列： | IRFB4110G |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 180 A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 9620pF @50V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 370 W |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Rail, Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/香港进出口证： | NLR |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP120NF10
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
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IRFB4110PBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRFB4110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
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