技术参数/额定电压(DC): | -100 V |
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技术参数/额定电流: | -12.0 A |
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技术参数/漏源极电阻: | 300 mΩ |
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技术参数/极性: | P-Channel |
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技术参数/耗散功率: | 75.0 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 100 V |
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技术参数/漏源击穿电压: | 100 V |
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技术参数/栅源击穿电压: | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids): | 12.0 A |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | TO-220 |
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外形尺寸/封装: | TO-220 |
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其他/产品生命周期: | Unknown |
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其他/包装方式: | Bulk |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Contains Lead |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220 |
12A, 100V, 0.3Ω, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | CASE 221A-09 |
-12A,-100V,P沟道功率MOSFET
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