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型号: FQB6N60
描述: 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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封 装: D2PAK
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技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

600 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

6.2A

 

封装参数/封装:

D2PAK

 

外形尺寸/封装:

D2PAK

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
FQB7N60TM FQB7N60TM Fairchild (飞兆/仙童) 功能相似 TO-263-3
QFET® N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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