芯片AI顾问
技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/极性： | N-CH |
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技术参数/耗散功率： | 150 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 75 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 78A |
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技术参数/上升时间： | 33 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 5015pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 150 W |
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技术参数/下降时间： | 14 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 150W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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STP13NM60N
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-220-3 |
N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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