技术参数/频率： | 100 kHz |
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技术参数/电源电压(DC)： | 4.50V (min) |
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技术参数/供电电流： | 10 mA |
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技术参数/静态电流： | 2.00 mA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 70 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 0 ℃ |
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技术参数/电源电压： | 4.5V ~ 16V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 16 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 4.5 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/宽度： | 3.91 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | 0℃ ~ 70℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NE555D
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
555 计时器，Texas Instruments 一系列高度稳定的高精度定时电路，用于准确延时或定时脉冲。 这些计时器可在单稳态（单触发）或非稳态）振荡器）模式下工作，其计算周期为不足微秒至几分钟。 除原始双极型号外，还提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 变体。 这些设备支持更长的计时周期，并显著降低功耗。 该系列包括单（551、555）和双（552、556）计时器版本。 ### 定时器/定时发生器
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NE555DR
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS NE555DR 芯片, 单高精度定时器
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NE555D
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOP-8 |
555 计时器，Texas Instruments 一系列高度稳定的高精度定时电路，用于准确延时或定时脉冲。 这些计时器可在单稳态（单触发）或非稳态）振荡器）模式下工作，其计算周期为不足微秒至几分钟。 除原始双极型号外，还提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 变体。 这些设备支持更长的计时周期，并显著降低功耗。 该系列包括单（551、555）和双（552、556）计时器版本。 ### 定时器/定时发生器
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NE555D
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Signetics | 类似代替 |
555 计时器，Texas Instruments 一系列高度稳定的高精度定时电路，用于准确延时或定时脉冲。 这些计时器可在单稳态（单触发）或非稳态）振荡器）模式下工作，其计算周期为不足微秒至几分钟。 除原始双极型号外，还提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 变体。 这些设备支持更长的计时周期，并显著降低功耗。 该系列包括单（551、555）和双（552、556）计时器版本。 ### 定时器/定时发生器
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NE555D
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOP-8 |
555 计时器，Texas Instruments 一系列高度稳定的高精度定时电路，用于准确延时或定时脉冲。 这些计时器可在单稳态（单触发）或非稳态）振荡器）模式下工作，其计算周期为不足微秒至几分钟。 除原始双极型号外，还提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 变体。 这些设备支持更长的计时周期，并显著降低功耗。 该系列包括单（551、555）和双（552、556）计时器版本。 ### 定时器/定时发生器
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HTC | 类似代替 | SOP-8 |
555 计时器，Texas Instruments 一系列高度稳定的高精度定时电路，用于准确延时或定时脉冲。 这些计时器可在单稳态（单触发）或非稳态）振荡器）模式下工作，其计算周期为不足微秒至几分钟。 除原始双极型号外，还提供低功率 CMOS 和 LinCMOS 变体。 这些设备支持更长的计时周期，并显著降低功耗。 该系列包括单（551、555）和双（552、556）计时器版本。 ### 定时器/定时发生器
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