技术参数/供电电流： | 1.1 mA |
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技术参数/电路数： | 1 |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/耗散功率： | 500 mW |
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技术参数/共模抑制比： | 85 dB |
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技术参数/增益频宽积： | 600 kHz |
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技术参数/输入补偿电压： | 400 µV |
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技术参数/输入偏置电流： | 40 nA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 70 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 0 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 500 mW |
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技术参数/共模抑制比(Min)： | 85 dB |
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技术参数/电源电压(Max)： | 15 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 1.8 V |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | PDIP-8 |
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外形尺寸/长度： | 9.27 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.35 mm |
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外形尺寸/高度： | 5.33 mm |
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外形尺寸/封装： | PDIP-8 |
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物理参数/工作温度： | 0℃ ~ 70℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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NE5230DR2G
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | SOIC-8 |
NE5230，SE5230，SA5230，NCV5230，低电压运算放大器，ON Semiconductor 电源电压范围 1.8 V 至 15 V 可调电源电流 低噪声 SA 等级：-40°C 至 +85°C SE 等级：-40°C 至 +125°C NCV5230 适用于汽车应用；符合 AEC-Q100 ### 运算放大器，ON Semiconductor
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NE5230N
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | PDIP-8 |
低电压运算放大器 Low Voltage Operational Amplifier
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Philips (飞利浦) | 完全替代 | DIP |
低电压运算放大器 Low Voltage Operational Amplifier
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