技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 63 @150mA, 2V
技术参数/额定功率(Max): 1 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: SOT-89
外形尺寸/封装: SOT-89
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BCX52-10TA
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Diodes (美台) | 类似代替 | SOT-89 |
Trans GP BJT PNP 60V 1A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Diodes Zetex (捷特科) | 类似代替 | TO-243 |
三极管(BJT) BCX52TA SOT-89-3
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