技术参数/极性: N-Channel, P-Channel
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/漏源击穿电压: ±200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 2.00 A
技术参数/上升时间: 15 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 110pF @25V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TC2320TG-G
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Suptertex | 类似代替 |
SOIC N+P 200V
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|||
TC2320TG-G
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Microchip (微芯) | 类似代替 | SOIC-8 |
SOIC N+P 200V
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||
TC2320TG-G
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Supertex (超科) | 类似代替 | SOIC-8 |
SOIC N+P 200V
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