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型号: NTB6413AN
描述: N沟道功率MOSFET的100 V, 42 A, 28毫欧 N-Channel Power MOSFET 100 V, 42 A, 28 mΩ
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封 装: D2PAK-3
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技术参数/漏源极电阻: 28 mΩ

技术参数/极性: N-CH

技术参数/耗散功率: 136 W

技术参数/阈值电压: 4 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 42A

封装参数/封装: D2PAK-3

外形尺寸/封装: D2PAK-3

其他/最小包装: 800

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

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