技术参数/额定电压(DC): 150 V
技术参数/额定电流: 37.0 A
技术参数/漏源极电阻: 50.0 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 178 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 3.20 nF
技术参数/栅电荷: 100 nC
技术参数/漏源极电压(Vds): 150 V
技术参数/漏源击穿电压: 150 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 37.0 A
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: D2PAK-3
外形尺寸/封装: D2PAK-3
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tube
其他/最小包装: 800
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTB35N15T4G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
|
©Copyright 2013-2026 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价